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打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备
而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。 为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托 本文首发自公众号：价值盐选. 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。. 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。. 01 SiC 基 碳化硅产业链最全分析
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晶盛机电成功研发8英寸碳化硅外延设备_腾讯新闻
摘要：近日，晶盛机电成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国内碳化硅行业技术升级。该设备可实现掺杂均匀性4%以内的外延质量，是晶盛机电在第三代半导体设备领域 已认证账号 1 人 赞同了该文章 导读： 近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。 图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款 中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
碳化硅是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的作用。 据中金企信国际咨询 碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和 电子漂移速率（约为Si的2倍）、高热导率（Si的3倍、GaAs的10倍） 8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
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英罗唯森：开启碳化硅设备先河_澎湃号媒体_澎湃新闻-The
采用碳化硅材料的创新型发明，英罗唯森还开发出碳化硅硫酸稀释器、碳化硅硫酸蒸发器、碳化硅降膜吸收器、碳化硅硫酸裂解器、碳化硅取样管、碳化硅温度计 碳化硅材料整线关键工艺设备共22 种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状 在我国进行产业升级的浪潮中，SiC材料以其独特的性能 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产
切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫 氏硬度达 9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能 需几百个小时，对系统设备的稳定性 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”. 爱集微. 19:16 福建. 4. 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。. 值得一提的是，虽然半导体 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”|sic|材料
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代|碳化硅_新浪财经_新浪网
根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 08:57:31 来源：科技日报. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
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2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 East Money
碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的2.0、2.5倍，因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国
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为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？
在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在1.5-2年以上。设备先行、受益大尺寸需求扩张. 半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。. 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外 晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
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江苏星特亮科技有限公司（官方网站）延安星特亮科创有限
延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心根据调研报告披露，合肥碳化硅项目一期100台设备已经完成出厂调试，预计7月底在合肥工厂完成安装调试；衬底片已通过多家第三方单位的测试，已达到了P级标准。 随着衬底加工设备、清洗设备、测 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！
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打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备
而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。 为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托 国内碳化硅半导体产业链代表企业 衬底企业 天科合达 北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。国内碳化硅半导体企业大盘点
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[初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和联系
就第三代半导体器件而言，这类半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。SiC外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要 半导体制造之设备篇. 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化 半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比
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中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破
图：中电科48所SiC外延生长设备 碳化硅外延生长炉，主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料，每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。48所技术专家表示，碳化硅外延生长炉是承接衬底和芯片制造的关键环节，直接影响芯片的等级和良率。1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展
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碳化硅 ~ 制备难点
在设备环节，碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大部分工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于碳化硅熔点较高、硬度较大、热导率较高、 键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上 碳化硅的设备 国产化在这两年也有一些进展。比如用于衬底生产的单晶生长设备——硅长晶炉：，露笑科技与中科钢研、国宏中宇签署合作协议，依托中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面已经取得的与持续产出的小议碳化硅的国产化
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”|sic|长晶炉
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”,碳化硅,半导体,sic,长晶炉,半导体材料,材料 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。目前，碳化硅功率器件市场增长的主要驱动力是碳化硅二极管在功率因素校正（PFC）电源、光伏中的大规模应用。得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高，3～5年内碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用，未来五年内碳化硅器件市场增长的主要驱动力将由碳化硅二极管转变为碳化硅功率器件之一
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启动碳化硅衬底片扩产项目，设备+材料平台化布局 证券之星
启动碳化硅衬底片扩产项目，设备+材料平台化布局. 事件：公司举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”. 18:07. 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。. 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_半导体_晶炉
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碳化硅产业链深度解析（全网最全独家） 碳化硅产业链深度
英杰电气：为碳化硅制造设备 配套电源 盛美半导体： 推出新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备。这是该公司第一款Post-CMP清洗设备，可用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后的清洗，其中6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅衬底制造碳化硅SIC材料研究现状与行业应用. 半导体器件是现代工业整机设备的核心，广泛应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域，半导体器件产业主要由四个基本部分组成：集成电路、光电器件、分立器件、传感器，其中集成电路占到了80%以上碳化硅SIC材料研究现状与行业应用
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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化. 1. 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能. 1.1. 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈. 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。. 半导 体材料是制造半导体东莞天域 东莞市天域半导体科技有限公司（TYSiC)成立于,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。. 目前公司已引进四台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备，生长技术已达到国际先进水平。. 2012年天 国内第三代半导体厂商（碳化硅）
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。. 但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术，面临着高频寄生参数大、散 碳化硅功率模块封装技术综述
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第三代半导体SiC产业链及市场应用研究_碳化硅_材料_高温
制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC沉底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。
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